Memoria DRAM

Memoria DRAM ORIGINAL.

Dynamic random access memory  (en español Memoria de acceso aleatorio dinámica). Es el tipo de memoria RAM más usada. Almacena cada bit de datos en un capacitor separado dentro de un circuito integrado. Dado que los capacitores pierden carga, eventualmente la información se desvanece a menos que la carga del capacitor se refresque y cargue periódicamente (períodos cortísimos de refresco). Por este requerimiento de refresco es llamada memoria dinámica que es opuesta a las SRAM y otras memorias estáticas.

Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayor parte del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible. Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los módulos de memoria RAM estén conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los módulos, la mayoría de tarjetas madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test básico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma.

Su ventaja sobre las SRAM es la simplicidad de su estructura: sólo un transistor y un capacitor son requeridos por bit, comparado a los cinco transistores en las SRAM. Esto permite a las DRAM alcanzar muy alta densidad.

Las DRAM fueron creadas por el Dr. Robert Dennard en el centro de investigación de IBM Thomas J. Watson en 1966 y patentadas en 1968.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:

Ø  FPM-RAM (Fast Page Mode RAM):

Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486,³ se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primera vez no seria necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

Ø  EDO-RAM (Extended Data Output RAM):

Lanzada en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

Ø  BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM):

Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.

Mas informacion en:
http://www.alegsa.com.ar/Dic/dram.php#sthash.18DxTAwJ.dpuf http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio